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      芬兰Mirion RDS-200通用型智能辐射仪

      更新时间:2024-12-30

      访问量:1736

      简要描述:
      芬兰Mirion RDS-200通用型智能辐射仪是芬兰redos公司生产的一款多功能多探头选择的一款智能化黄瓜视频在线观看视频IOS,该仪器采用高灵敏探测器,采用采用,Field-proven电子学设备和时间间隔测量原理(TIM)测量剂量、剂量率,特别适合低辐射水平的精确测量,可用作区域γ监测仪,外接多种探测器实现χ、γ、α、β综合测量功能,该仪器自动识别探头种类并改变测量模式,体积小重量轻。
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                   芬兰Mirion RDS-200通用型智能辐射仪

      芬兰Mirion RDS-200通用型智能辐射仪简介

           芬兰Mirion RDS-200通用型智能辐射仪是芬兰redos公司生产的一款多功能多探头选择的一款智能化黄瓜视频在线观看视频IOS,该仪器采用高灵敏探测器,采用采用,Field-proven电子学设备和时间间隔测量原理(TIM)测量剂量、剂量率,特别适合低辐射水平的精确测量,可用作区域γ监测仪,外接多种探测器实现χ、γ、α、β综合测量功能,该仪器自动识别探头种类并改变测量模式,体积小重量轻,广泛适用于具有三类辐射源场合的单位使用。     

      芬兰Mirion RDS-200通用型智能辐射仪技术参数 
          探测类型: γ和X射线, 50 keV-3MeV,使用外部探头进行测β测量 
          探测器: 能量补偿型双GM管 
          测量范围: 剂量率0.01μSv/h-10Sv/h;剂量0.01μSv-10Sv 
          解析度: 0.01 μSv/h; 0.01 μSv 
          刻度精度: ± 5%, Cs 137 +20 °C 
          剂量率线性度: ± 15% 
          χγ能量范围: 50keV-3MeV 
          存储 可存储864条历史数据,存储数据间隔1-99分钟可调 
          报**种类: 剂量率报**,累积剂量报**,脉冲率报**,可自由设定报**域值 
          电源: 3个标准AA电池 
          重量: 610g 
          工作温度: -40oC-+55oC 
          保护等级: IP67 ,具有抗RF**能力 
           
          探头 
          GMP-11表面污染探头 
           RDS-110 200外接智能表面污染探头,测量αβγ辐射,用于普通表面污染测量和放射源搜寻 
          技术规格 γ/β/α能量:γ>30keV;β>100keV;α>2MeV 
          探测器:GM管 
          探测窗有效面积:6.1cm2 
          窗厚度:1.5-2mg/cm2 
          灵敏度:1.0cps( 90Sr/90Y 放射源 0.37Bq/cm2) 
          工作温度:-25oC-+55oC 
          GMP-15 表面污染探头 
         RDS-110 200智能外接表面污染探头,测量αβγ辐射,用于普通表面污染测量和放射源搜寻 
          技术规格 γ/β/α能量:γ>30keV;β>100keV;α>2MeV 
          探测器:GM管 
          探测窗有效面积:15.5cm2 
          窗厚度:1.5-2mg/cm2 
          灵敏度:2.8cps( 90Sr/90Y 放射源 0.37Bq/cm2) 
          工作温度:-25oC-+55oC 
          GMP-12H γ探头 
        S-110 200智能外接γ探头,可外接长杆用于远处γ测量,电缆长度可达15米, H*(10)剂量当量测量 
          技术规格 测量范围:剂量率0.1μSv/h-10Sv/h;剂量1μSv-10Sv 
          χγ能量范围:80keV-3MeV 
          工作温度:-40oC-+55oC 
          GMP-12Lγ探头 
           
        RDS-110 200智能外接γ探头,可外接长杆用于远处γ测量,电缆长度可达15米, H*(10)剂量当量测量 
          技术规格 测量范围:剂量率0.05μSv/h-10Sv/h;剂量0.01μSv-10Sv 
          χγ能量范围:50keV-3MeV 
          工作温度:-40oC-+55oC 
       

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